LED的发光原理

LED是由Ⅲ一V族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaAsP（磷化镓砷）、A1GaAs（砷化铝镓）等半导体制成，其核心是P-N结，因此它具有一般P-N结的伏一安特性，即正向导通、反向截止、击穿特性。当P型半导体和N型半导体结合时，由于交界面处存在的载流子浓度差。于是电子和空穴都会从高浓度区域向低浓度区域扩散。这样，P区一侧失去空穴剩下不能移动的负离子，N区一侧失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子就是空间电荷。空间电荷集中在P区和N区交界面附近，形成了一很薄的空间电荷区，就是P-N结。当给P-N结1个正向电压时。便改变了P-N结的动态平衡。注入的少数载流子（少子）与多数载流子（多子）复合时，便将多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。如果给PN结加反向电压，少数载流子（少子）难以注入，故不发光。